Измерение емкостей коллекторного и эмиттерного переходов

Эти параметры часто измеряют методом замещения. Применяется также метод емкостного и емкостно-омического делителя. Так как измеряемая емкость мала — от нескольких единиц до нескольких десятков пикофарад, то при ее измерении необходимо принять меры к устранению возможных погрешностей, связанных с влиянием внешних электрических полей, входной емкости вольтметра, собственной емкости соединительных проводов и т.п.

28. Методика измерения основных параметров диодов и стабилитронов

Свойства диодов на низких частотах достаточно полно определяют их ВАХ. При оценке параметров прямой ветви ВАХ целесообразно задавать постоянный ток Iпр изменять прямое напряжение Uпр. Это требование означает, что внутреннее сопротивление источника питания должно быть существенно больше сопротивления диода, чтобы изменение напряжения на диоде не вызывало изменений тока, выходящих за пределы заданной погрешности измерений, т.е. источник должен быть источником тока по отношению к диоду. Это условие должно выполняться при измерении напряжения на всех участках ВАХ, где дифференциальное сопротивление мало. При измерении параметров диода в области пробоя (в области стабилизации напряжения для стабилитронов) также следует задавать значение обратного тока Iобр и определять обратное напряжение Uобр.

\

При измерении параметров обратной ВАХ, за исключением области пробоя, необходимо, чтобы источник питания, которым задается режим измерения, имел малое внутреннее сопротивление, так как в противном случае незначительные изменения обратного тока будут вызывать большую погрешность при измерении обратного напряжения.