Биполярный транзистор ИМС

На подложку р-типа наращивается тонкий слой кремния n-типа.

В результате получается эпитаксиальная пленка n толщиной порядка 10-20 мкм. В эту пленку методом диффузии вводят акцепторную p примесь. Распределение примеси в такой тонкой пленке почти одинаково. Это позволяет получить очень четкий р-n переход.

Далее создаются методом локальной диффузии (поочередно) эмиттер и база

Рис.9.14Эпитаксиально - планарная технология производства биполярного транзистора

(а) – подложка с эпитаксиальным слоем и окисной пленкой для изолирующей диффузии;

(б) – изолирующая диффузия;

(в) – диффузия базы и эмиттера с последующей металлизацией.

МОП – транзистор ИМС

(+) простота по сравнению с БТ, т. к необходима лишь одна диффузия (образование n областей истока и стока).

Рис.9.15Эпитаксиально - планарная технология производства полевого транзистора

Body –> подложка (русск);

Sourse –> исток (русск);

Gate –> затвор (русск);

Drain –> сток (русск).

04.2013 Флёров А.Н. курс “ Электроника и МПУ” Для самостоятельного изучения

ПРИЛОЖЕНИЕ 7