Расчёт элементов формирующих линию включения транзисторов.

 

При включении ключа с элементами, формирующими траектории переключения транзистора, время переключения определяется скоростью нарастания коллекторного тока, протекающего через дроссель L, обратный диод VD1 и транзистор VT1 в режиме насыщения,

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

ВлГУ 15.03.04

Разраб.

Стрепко М.В

Провер.

Рассказчиков Н.Г.

Реценз.

Н. Контр.

Утверд.

Лит.

Листов

ЗАуД-115

,

где I_доп – допустимое значение броска тока фазы.

Считая, это время таким же, как в ключе без формирующих элементов, найдем требуемую индуктивность дросселя, приняв

Емкость C2 определили из условия, чтобы время отключения ключа не превышало времени отключения без цепей формирования траектории переключения

 

С2=

Примем C2 =0,001 мкФ, сопротивление разрядного резистора

В качестве разрядного диода VD3 выбираем высокочастотный диод КД212А. Оценим времена разряда дросселя и емкости C2 после включения или отключения ключа. При выполнении условий, справедливых в нашем случае, эти времена можно определить так:

Как видно, отвод энергии, накопленной в реактивных элементах ключа, требует достаточно большого времени. Если к очередному переключению эта энергия не израсходуется полностью, то цель введения формирующих элементов не будет достигнута. Поэтому полное время включения и отключения ключа следует считать равным

 

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

ВлГУ 15.03.04

Разраб.

Стрепко М.В

Провер.

Рассказчиков Н.Г.

Реценз.

Н. Контр.

Утверд.

Лит.

Листов

ЗАуД-115

 

 

Расчёт мощности резисторов

P_R1=U²_БЭ1max/R₁=4/10=0,4 Вт

P_R2=U²_БЭ2max/R₂=4/10=0,4 Вт

P_R3=I²_R3отп*R₃=(0,406)²*30=4,9Вт

P_R4=U²_R4/R₄=(13,7)²/470=0,3Вт

P_R5= U²_R5/R₅=(0,7)²/250=0,002Вт

P_R6=U²_БЭ5max/R₆=(0,8)²/160=0,004Вт

P_R7=I²_пр.сд*R₇=(0,02)²*180=0,072 Вт

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

ВлГУ 15.03.04

Разраб.

Стрепко М.В

Провер.

Рассказчиков Н.Г.

Реценз.

Н. Контр.

Утверд.

Лит.

Листов

ЗАуД-115

P_R8=U²_п/R₈=(380)²/300=481Вт

 

1. МЛТ – 0,125 – 10 Ом±5% – А ГОСТ 2825-67

2. МЛТ – 0,125 – 10 Ом±5% – А ГОСТ 2825-67

3. МЛТ – 0,125 – 30 Ом±5% – А ГОСТ 2825-67

4. МЛТ – 0,125 – 470 Ом±5% – А ГОСТ 2825-67

5. МЛТ – 0,125 – 250 Ом±5% – А ГОСТ 2825-67

6. МЛТ – 0,125 – 160 Ом±5% – А ГОСТ 2825-67

7. МЛТ – 0,125 – 180 Ом±5% – А ГОСТ 2825-60

ПЭВ – 100 – 300 Ом±5% – А ГОСТ 6513-66.

Транзистор КТ809А

 

 

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

ВлГУ 15.03.04

Разраб.

Стрепко М.В

Провер.

Рассказчиков Н.Г.

Реценз.

Н. Контр.

Утверд.

Лит.

Листов

ЗАуД-115

М

 

Диод 2Д220Д

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

ВлГУ 15.03.04

Разраб.

Стрепко М.В

Провер.

Рассказчиков Н.Г.

Реценз.

Н. Контр.

Утверд.

Лит.

Листов

ЗАуД-115

 

Оптопара диодная АОД101А

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

ВлГУ 15.03.04

Разраб.

Стрепко М.В

Провер.

Рассказчиков Н.Г.

Реценз.

Н. Контр.

Утверд.

Лит.

Листов

ЗАуД-115

 

Литература

 

1. Справочник по электрическим конденсаторам под редакцией

Карабанова В. И., Преснякова В. И.

2. Справочник по электрическим машинам Копылова Т. Г.

3.

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

ВлГУ 15.03.04

Разраб.

Стрепко М.В

Провер.

Рассказчиков Н.Г.

Реценз.

Н. Контр.

Утверд.

Лит.

Листов

ЗАуД-115

Рассказчиков Н. Г. «Электроника и полупроводниковые устройства системного управления». Методические указания к курсовому проектированию.