Основные параметры некоторых полупроводников

, (1)

где К - постоянная Больцмана, Т – абсолютная температура, q - заряд электрона.

Умножив и разделив правую часть выражения (1) на Т_о=300 К (комнатная температура) получим

, (2)

где - температурный потенциал при комнатной температуре.

Новая форма записи не только уменьшает время, которое требуется для проведения расчетов, но и делает формулу более наглядной с точки зрения зависимости температурного потенциала от температуры.

Разобьем весь температурный диапазон на 10 точек.

Для каждой точки рассчитаем температурный потенциал, и результаты сведем в таблицу 3.

Таблица 3

T, К
, мВ	19.1		20.8	20.6	22.5	23.3	24.2		25.7	26.5

По данным таблицы строим график рис.1

Рис.1

Из выражения 2 следует, что температурный потенциал является линейной функцией от температуры, следовательно, для построения графика достаточно было вычислить значения температурного потенциала для двух значений температуры.

Выводы.

С физической точки зрения температурный потенциал характеризует в электрических единицах статистическую температуру или кинетическую энергию электрона в вакууме или электронном газе. С повышением температуры кинетическая энергия электрона растет, что приводит к увеличению температурного потенциала. Кроме того, можно сделать заключение, что при температуре полупроводника T=0 температурный потенциал равен нулю, а, следовательно, кинетическая энергия электронов и дырок равна нулю и электронов в зоне проводимости нет. Валентные уровни все заполнены. Таким образом, нет свободных подвижных зарядов в полупроводнике и его проводимость равна нулю. Это заключение справедливо для любого типа полупроводника.

ЛИТЕРАТУРА

1.Ицкович В.М. Электроника. Учебное пособие. – Томск: Томский государственный университет, 2006. – 360 с.

2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001.- 488 с.