Информационное обеспечение дисциплины..

ЛИТЕРАТУРА

1.	Старосельский В.И. Физика p-n переходов и полупроводниковых диодов, конспект лекций. Москва, МИЭТ, 1986 г.
2.	Старосельский В.И. Физика биполярных транзисторов. Бездрейфовые транзисторы, учебное пособие. Москва, МИЭТ, 1989 г.
3.	Старосельский В.И. Физика МДП-транзисторов, учебное пособие. Москва, МИЭТ, 1989 г.
4.	Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление. Пер. с англ. Под ред. М.В. Гальперина. 621.3.049.77, М.: Мир. 1985
5.	Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 621. 382.3(075.8), М.: Энергия, 1973
6.	Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. Наука, М., 1977 г. 532.239.(075.8) Б-817, 100 экз.
7.	Старосельский В.И. Электронные приборы на основе арсенида галлия., 621.382, М.: МИЭТ, 1997
8.	Лабораторный практикум по физике полупроводниковых приборов. Диоды. Ч.1. Под ред. Парменова Ю.А., Москва, МИЭТ, 2005 г., 621.382.2(076.5) Л-125
9.	Лабораторный практикум по физике полупроводниковых приборов. Транзисторы. Ч.2. Под ред. Парменова Ю.А., Москва, МИЭТ, 2005 г. 621.382.2(076.5) Л-125

ЭЛЕКТРОННЫЕ РЕСУРСЫ

	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
	http://avnsite.narod.ru/physic/pp/teor_p2.htm
	http://www.techno.edu.ru/db/msg/7457.html

 

СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

ЛЕКЦИОННЫЕ ЗАНЯТИЯ

№	Содержание
Лекция 1	Основы зонной теории. Классификация твердых тел на металлы, полупроводники и диэлектрики. Эффективная масса. Дырки-носители заряда в валентной зоне. Зонная структура основных полупроводников.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 2,3	Примеси в полупроводниках. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Уровень Ферми. Собственные и примесные полупроводники. Доноры и акцепторы. Мелкие и глубокие примесные состояния.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 4	Неравновесные носители заряда в полупроводниках. Генерация, излучательная и безизлучательная рекомбинация. Время жизни. Квазиуровень Ферми. Модель Шокли-Рида-Холла.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 5,6	Явления переноса в полупроводниках. Подвижность и коэффициент диффузии, соотношение Энштейна, длины диффузии и дрейфа. Механизмы рассеяния носителей заряда. Амбиполярные диффузии и дрейф. Диффузно-дрейфовое приближение.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 7	Явления переноса в полупроводниках. Подвижность и коэффициент диффузии, соотношение Энштейна, длины диффузии и дрейфа. Механизмы рассеяния носителей заряда. Амбиполярные диффузии и дрейф. Диффузно-дрейфовое приближение.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 8,9	Твердотельная СВЧ электроника. Лавино-пролетный и туннельный диоды. Домены сильного поля и неустойчивости в полупроводниках с двумя типами носителей заряда.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 10	Резонансно- туннельные диоды и функционально интегрированные полупроводниковые приборы.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 11	Образование p-n перехода, база диода. Зонная энергетическая диаграмма перехода. Распределение свободных носителей в переходе. Ступенчатые и линейные переходы. Токи, протекающие через p-n переход в состоянии равновесия. Принцип детального равновесия. Процессы протекающие в переходе при прямом и обратном смещении
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 12,13	Особенности ВАХ реального диода. Токи генерации и рекомбинации в p-n переходе. Омическое вырождение ВАХ диода. Температурная зависимость ВАХ диода. ТКН. ВАХ диода при высоком уровне инжекции. Пробой p-n перехода. Типы пробоя. Зависимость пробивного напряжения от температуры. Л.2., Л.7
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 14	Фотопроводимость, фотоэффект в p-n переходе, фотоэффект на барьере Шоттки.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 15	Модели электрических параметров полупроводниковых приборов Bsim
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 16	Структура, схемы включения и режимы работы биполярного транзистора. Транзисторный эффект. Усилительные свойства биполярного транзистора при различных схемах включения. Эквивалентная схема Эберса- Молла для идеального транзистора.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 17	Уравнение Эберса –Молла. Основные статистические параметры идеального транзистора. Входные ВАХ идеального транзистора в схеме ОБ и ОЭ. Выходные ВАХ идеального транзистора в схеме ОБ и ОЭ. ВАХ идеального транзистора в схеме ОК.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 18- 20	ВАХ реального транзистора. Сопротивления тел коллектора и базы в схеме Эберса-Молла. Эффект Эрли и его отображение на эквивалентной схеме транзистора. Статистические параметры биполярного транзистора. Эффективность переходов транзистора. Коэффициент переноса через базу. Коэффициент передачи эмиттерного тока. Пробой коллекторного перехода. Прокол базы.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 21,22	Динамические свойства транзистора. Частотные зависимости коэффициента переноса через базу и коэффициента передачи биполярного транзистора в схемах ОБ и ОЭ.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 23,24	Динамические параметры транзистора. Схема Эберса-Молла для реального транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора. Диод Шоттки. Энергетическая диаграмма. Качественное описание ВАХ диода Шоттки. Диодная и диффузионная теории выпрямления, ВАХ реального диода Шоттки. Статистические и динамические параметры диода Шоттки. Барьерная емкость. Эквивалентные схемы диода Шоттки. Л.7.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Лекция 25,26	Структура и принцип работы МПД-транзистора. Физическая причина насыщения тока стока. Отсечка канала. Выходная ВАХ идеального МДП-транзистора в схеме ОИ. Проходная ВАХ идеального МДП транзистора. Типы транзисторов.
	Программные продукты	Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

 

ЛАБОРАТОРНЫЕ ЗАНЯТИЯ

 

№	Содержание
Работа 1	Вольт-амперная характеристика биполярного диода. Контрольная работа.
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Работа 2	Изучение пробойных явлений в полупроводниковым диоде. Контрольная работа.
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Работа 3	Вольт-амперная характеристика биполярного транзистора. Контрольная работа.
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml
Работа 4	Вольт-амперная характеристика МДП-транзистора. Контрольная работа.
	Интернет -ресурсы	http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

 

САМОСТОЯТЕЛЬНАЯ РАБОТА

 

Адрес: http://www.mocnit.miet.ru/oroks-miet/scripts/login.pl?DBnum=11

Кафедра: Интегральной электроники и микросистем

№	Темы ЭМИРС	Используемый ПП
СРС 1	Тест 1 «Физика полупроводников»	Windows, IE
СРС 2	Тест 2 «Физика п/п приборов»	Windows, IE

 

УЧЕБНАЯ ДИСЦИПЛИНА

«ФИЛОСОФИЯ»