Контакт электронного и дырочного полупроводников

(р-n- переход)

Р - n - переходом называется электрический контакт двух примесных полупроводников с различным типом проводимости.

2.4.1. Равновесное состояние р-n- перехода

Равновесное состояние соответствует отсутствию внешнего напряжения на р - n - переходе (рис. 2.4).

 

 

Рис. 2.4

 

Поскольку концентрация электронов в полупроводнике n - типа больше, чем в полупроводнике р - типа, часть электронов диффундирует из n - области в р - область; дырки же наоборот, диффундируют из р - области в n - область. Электроны, оказавшиеся в р - полупроводнике, рекомбинируют с дырками, т.е. занимают вакантные места в атоме германия (рис. 2.4). В результате рекомбинации электрон как носитель тока исчезает, ион германия превращается в нейтральный атом, а на атоме акцептора появится нескомпенсированный отрицательный заряд. Дырка, оказавшаяся в результате диффузии в n - полупроводнике, рекомбинирует с основным носителем – электроном, в результате чего на донорном атоме появится нескомпенсированный положительный заряд. Т.к. акцепторные и донорные атомы находятся в узлах кристаллической решетки и не могут поступательно перемещаться, по обе стороны границы между двумя полупроводниками образуется двойной слой пространственного заряда – отрицательные заряды ионов акцепторных атомов в р - области и положительные заряды ионов донорных атомов в n - области. Возникающее при этом контактное электрическое поле противодействует дальнейшей диффузии основных носителей тока, т.е. создает для них потенциальный барьер.

В условиях равновесия поток электронов из n - в р - область, создающий ток основных носителей I_n через р - n - переход, уравновешивается встречным потоком электронов из р - в n - область, создающим ток неосновных носителей . Следовательно, в условиях равновесия и результирующий ток, создаваемый потоком электронов, равен нулю. То же самое можно сказать и о токе, создаваемом дырками.

2.4.2. Выпрямляющие свойства р-n- перехода

Внешнее электрическое поле изменяет высоту барьера и нарушает равновесие потоков носителей тока через р - n - переход.

Приложим к р - n - переходу, находившемуся в равновесии (рис. 2.5, а), внешнюю разность потенциалов U в прямом направлении, подключив к n - области отрицательный полюс источника, к р - области – положительный (рис. 2.5, б). На рисунках 2.5, б и 2.5, в E и Е_k – напряженности электрических полей внешнего и контактного, соответственно. Эта разность потенциалов вызывает понижение потенциального барьера для основных носителей до значения ().

а	б	в

Рис. 2.5

 

Поэтому поток электронов из n - в р - полупроводник увеличит в раз ток основных носителей. Ток неосновных носителей останется без изменения, т.к. поток неосновных носителей от высоты потенциального барьера не зависит. Результирующий ток через р - n - переход (прямой ток) будет равен

,

( – ток основных и неосновных носителей в условиях равновесия).

Так как , а , то

.

Приложим теперь к р - n - переходу внешнюю разность потенциалов (U) в обратном направлении, подключив к р - области отрицательный полюс источника напряжения, к n - области – положительный (рис. 2.5, в). Под действием этой разности потенциалов потенциальный барьер перехода повысится до значения (eU_k + eU), что вызовет уменьшение в раз потока основных носителей и тока, созданного основными носителями. Ток основных носителей в этом случае будет равен

,

а результирующий ток (обратный ток)

.

На рисунке 2.6 представлена вольтамперная характеристика р - n - перехода.

 

Рис. 2.6

 

Таким образом, зависимость тока через р - n - переход от приложенного напряжения характеризуется резко выраженной нелинейностью.

Экспериментальная часть

Приборы и принадлежности

1. Объект исследования (ОИ), представляющий собой вилку с переключателем, в корпусе которой установлены образцы – промышленные диоды.

2. Блок управления и индикации (БУИ).