Исследование стационарного режима

2.1 Используя сведения, приведенные во введении (см. первый раздел пособия) проведите анализ постоянных напряжений и токов в схеме рис.1. проведите копирование принципиальной схемы и её стационарных режимов, вводя последовательно команды: Edit/Copy to Clipboard/ Copy the Visible Portoin of Windou in BMP Format. Далее вызовите программу Word и в открывшееся окно этой программы введите ранее копированный фрагмент команд с помощью команды Вставить. Все последующие копирования при выполнении работы проводите согласно указанной процедуре. Далее такая программа называется рабочим файлом лабораторной работы №1. Целесообразно также проверить наличие линейного режима транзисторов. Для этого активируйте пиктограмму ON (Condition) программы.Если транзистор находится в линейном режиме, то рядом с его изображением появляется надпись красного цвета- LIN, в противном случае высвечивается надпись – SAT(насыщение) или OFF - (отсечка).

g₁₁, S₀, τ, C^/_КБ … (1)

в стационарной точке, для этого необходимо исследовать в диапазоне частот 10кГц-100МГц зависимости

IB(Q1)/VBE(Q1 ) и IC(Q1)/VBE(Q1). (2)

Для составления такого задания см рис.2. раздела1. Первая из них вызовет создание графика АЧХ входной комплексной проводимости Y₁₁ в указанном выше диапазоне частот, а вторая- АЧХ комплексной крутизны Y₂₁. Обратите внимание, что зависимость крутизны транзистора от частоты должна иметь падающий характер. Если это не происходит, то в значениях параметров транзистора объемное сопротивление базы RB было ошибочно заявлено равным нулю. В этом случае обязательно введите корректировку величины этого сопротивления, положив её, как указано ранее, 100 Ом (RB= 100). С помощью навигатора программы Cursor Mode (F8)-определите модуль входной проводимости Y_{1 1} на частоте f =10 кГц, который равен значению входной проводимости g_{1 1} в области средних частот. Из графика АЧХ для параметра Y₂₁ определить на частоте f =10 кГц величину крутизны транзистора - S_{0 .} Далее определите частоту f_τ, при которой модуль Y₂₁ уменьшается в величину по сравнению со значением S₀ на частоте f =10кГц. Значение постоянной входной цепи транзистора τ определяется тогда из выражения:

. (3)

Из графика АЧХ входной проводимости Y₁₁ определите на частоте f =100 МГц модуль , его величина будет соответствовать проводимости близкой к . Определите сопротивление и сопоставьте его с величиной = 100 Ом (RB=100) установленной ранее в списке дифференциальных параметров транзисторов. Величина «приведенной» емкости при стационарном напряжениимежду коллектором и эмиттером равном U₂₀ вычисляется по формуле:

, (4)

где CJС - величина емкости коллекторного перехода при «начальном» смещении равном 0,75 В. В выражении (4) CJС(U₂₀ )- величина емкости приведенной к напряжению U₂₀- с тационарному напряжению между базой и эмиттером в каскаде. С учетом конечного сопротивления базы окончательная величина «дважды приведенной» емкости, которая используется при аналитических расчетах, будет:

. (5)

По окончании исследования дифференциальных параметров исключите режим короткого замыкания нагрузки, разблокировав сопротивление R1, т.е. положив емкость конденсатора С6=0. Проведите копирование результатов исследования п.2 в рабочий файл лабораторной работы.