Г. Сопротивление базы можно определить через крутизну входной или проходной характеристик.

(2.9)

(2.9а)

В справочнике не всегда приводится входная характеристика, изредка имеется проходная характеристика i_K = f(U_БЭ), тогда S_Б определяется по формуле:

(2.10)

где S – крутизна проходной характеристики, касательная в рабочей точке I_Kmax;

– коэффициент усиления по току на рабочей частоте ф.(1.13).

Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.9) и (2.9а).

Д. Если указанные характеристики не имеются в справочнике, то используется постоянная времени цепи обратной связи τ_к, а r_Б можно определить /5/ по формуле:

Проведем расчет на примере КТ922В.

(2.11)

где r'_Б – сопротивление материала базы, ф. (2.12а)

r_P – сопротивление рекомбинации, ф. (2.15а)

r_Э – сопротивление стабилизации, сопротивление эмиттера, ф. (2.19а).

из ф.(1.13)

Слагаемые ф. (2.11) можно определить по следующим формулам /5,6/: (2.12)

(2.12а)

где τ_К – постоянная времени цепи обратной связи из справочника.

С_К_А – активная (внутренняя) часть емкости коллекторного перехода из справочника, если этот параметр не приведен, то определяем по формуле:

(2.13) (2.13а)

где С_К = С_К_А + С_К_П,

С_К – емкость коллекторного перехода приводится в справочнике.

С_К[пФ]=130 (2.14)

С_К_П – пассивная (внешняя) часть емкости коллекторного перехода,

ζ – зависит от технологии изготовления транзистора, данные приведены в табл.3.

Таблица 3.

транзистор	сплавной	сплавно-диффузионный	меза	планарный меза-планарный, эпитаксиально-планарный
ζ				3…4

Сопротивление рекомбинации:

, (2.15)

(2.15а)

h_21э из ф.(1.13).

S_П – крутизна по эмиттерному переходу /5/:

2Т950А:

(2.16)

(2.16а)

I_K₁ – ток первой гармоники коллекторного тока

(2.17)

α₁(θ) – коэффициент разложения импульсов коллекторного тока в зависимости от угла отсечки θ, обычно для ГВВ задают режим θ_НЧ ~ ()

Таблица 4.

θ	70^◦	75^◦	80^◦	85^◦	90^◦	95^◦	100^◦	105^◦	110^◦	115^◦	120^◦	125^◦	130^◦
α₀	0,253	0,269	0,286	0,302	0,319	0,334	0,35	0,364	0,379	0,392	0,406	0,419	0,431
α₁	0,436	0,455	0,472	0,487	0,5	0,51	0,52	0,526	0,531	0,534	0,536	0,536	0,534
γ₀	0,166	0,199	0,236	0,276	0,319	0,363	0,411	0,458	0,509	0,558	0,609	0,659	0,708
γ₁	0,288	0,337	0,39	0,445	0,5	0,554	0,611	0,662	0,713	0,76	0,805	0,843	0,878

I_Kmax – высота импульса коллекторного тока, выбирается в зависимости от требуемой мощности, из пункта п.Б.,ф.(2.5).

t_П – температура перехода [^◦С] (см. справочник, предельные эксплуатационные данные) для выбранного транзистора t_П=160⁰С, если в справочнике не указана, то можно задаться ее величиной в зависимости от материала транзистора.

Таблица 5.

Транзистор	Кремниевый Si	Германиевый Ge
t_П

2.3.2. Сопротивление эмиттера r_э рассчитывается по формуле:

(2.18)

r_э[Ом] = 0.15 (2.18а)

из справочника, приложения П.1

(2.19)

(2.19а)

Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.11).

2.3.3. Емкость эмиттерного перехода С_Э определяется:

Из справочника, П.1: С_Э=1100пФ. (2.20)

где f_α=m ∙ f_Т;

m=1,6 для ВЧ VT;

m=1,2 для НЧ VT

f_Т– из ф.(1.10а)

2.3.4. L – индуктивность выводов, если нет данного параметра в справочнике, то

L ~ (1…1,5) [ ] ∙ l [мм], (2.21)

где l – длина вывода, определяется из чертежа выбранного транзистора.

Из справочника известно:

2Т950А: КТ922В:

L_Б=1.3 нГн L_Б=2.4нГн

L_Э=2.1нГн L_Э=0.9нГн

Входная мощность

Все параметры сведем в таблицу.

I_kmax_НЧ, А	E_к, В	К_Р	P_вых, Вт	P_вх, Вт
7,67		1.884	53,148	28,21

Итак, все параметры ОК каскада определены и отвечают требованиям устойчивой работы каскада, требуемой мощности, высокого КПД.

Далее переходим к расчету параметров Пред ОК, для этого рассчитаем его исходные данные.