Порядок проведения измерений и обработки результатов

1. Подключить к источнику питания ВС 4-12 схему, представленную на рис. 5.

2. Переключатель выходного напряжения источника питания ВС 4-12 установить в положение «12 В».

3. Подать на затвор с помощью ключа К напряжение 1 – 1,5 В. Увеличивая напряжение от 0 до 12 В, при помощи вращения ручки потенциометра R, снять стоковую характеристику транзистора. Для этого необходимо изменять напряжение на стоке ступенчато с шагом в 1 В и при этом записывать в таблицу соответствующие каждому шагу значения тока по показаниям микроамперметра.

4. Нарисовать таблицу для построения стоко-затворных характеристик (Таблица 5).
5. Произвести измерения и занести результаты в таблицу.

Таблица 5 – Данные для построения стоко-затворных характеристик

6. Нарисовать таблицу для построения семейства стоковых характеристик (Таблица 6).
7. Произвести измерения и занести результаты в таблицу.

Таблица 6 – Данные для построения стоковых характеристик

8. Построить стоко-затворные и стоковые характеристики в координатных осях.
9. Определить необходимые параметры и рассчитать крутизну стоко-затворной характеристики и активную выходную проводимость.
10. Сделать вывод.

Контрольные вопросы

1. Что такое полевой транзистор?

2. Из каких материалов изготавливаются транзисторы?

3. Сколько PN-переходов имеет полевой транзистор?

4. Чем отличаются транзисторы различных типов?

5. Нарисуйте условные графические обозначения транзисторов различных типов. Запишите названия выводов на рисунке.

6. Какие приборы необходимы для снятия характеристик транзистора?
Поясните особенности работы и область применения полевых транзисторов.

7. Что общего у полевого транзистора с биполярным транзистором, электронной лампой?

8. Опишите устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.

9. Чем определяется толщина канала в полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом.

10. Объясните причину насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора.

11. Как зависит вид стоковой характеристики от напряжения на затворе?

12. В чем отличие полевых транзисторов с изолированным затвором? Что физически означает изолированный затвор?

13. Опишите устройство и работу полевого транзистора с встроенным каналом.

14. Опишите устройство и работу транзистора с индуцированным каналом.

15. Как возникает инверсия типа проводимости?

16. Нарисуйте стоко-затворные и стоковые характеристики транзистора. Расскажите о процессах, соответствующих характерным участкам ВАХ.

17. Перечислите основные параметры транзисторов. Охарактеризуйте каждый из них.

18. Как определить крутизну стоко-затворной характеристики и активную выходную проводимость?

 

График выполнения лабораторных работ

 

по дисциплине «Физика твердого тела»

 

для студентов специальности 050110 «Физика» группы Ф-32

 

 

1415

№

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

1Вводное1122

3

отчет

зачет

 

Темы лабораторных работ

 

 

№ 1Изучение законов фотоэффекта.

 

№2 Изучение р-п перехода.

 

№3 Изучение температурной зависимости электропроводности металлов и полупроводников.

 

№4 Изучение эффекта Холла в полупроводниках

 

№5 Изучение биполярного транзистора.

 

№ 6 Изучение работы полевого транзистора.

 

 

Составил ст. преп. кафедры физики А. А. Курманов