Магнитные характеристики низкочастотных магнитомягких

Материалов для изготовления магнитопроводов реле с МК

Материал	Марка	Коэрци­тивная сила, H c, А/м	Макси­маль­ная магнит­­ная про­ни­цае­мость μmax	Магнитная индукция, B, Тл, не менее, при напряженности магнитного поля, А/м, равной
Электротехническая тонколистовая сталь (ГОСТ 3863-83)			4 500 4 000 3 000	1,38	1,50	1,62
Электротехническая сталь (ГОСТ 21427.3-75)		- -	7 000 7 000	1,18 1,20	1,29 1,29	- -
(ГОСТ 21427.1- 83)			16 000 33 000	- -	1,45 -	1,70 1,85
Низконикелевый пермаллой (горячекатаные ленты, прутки)	34НКМП 45Н 50Н 65НП	6,4 2,8	125 000 18 000 20 000 200 000	- - - -	- - - -	1,50* 1,50* 1,50* 1,30*

Окончание таблицы П.40

Материал	Марка	Коэрци­тивная сила, H c, А/м	Макси­маль­ная магнит­­ная про­ни­цае­мость μmax	Магнитная индукция, B, Тл, не менее, при напряженности магнитного поля, А/м, равной
Высоконикелевый пермаллой (горячекатаные ленты, прутки)	78Н 79НМ 80НХС	5,6 3,2 3,2	35 000 80 000 70 000	- - -	- - -	1,00* 0,75* 0,63*
Пермендюр	49К2ФА		4 000	-	-	2,10*

Примечание. * - приведено значение индукции насыщения материала.

Характеристики биполярных транзисторов

Таблица П.41

Система условных обозначений биполярных транзисторов

Обозначения	Термины	Обозначения	Термины
I КБО	Обратный ток коллектора	U КЭО. гр	Граничное напряжение биполярного транзистора
I ЭБО	Обратный ток эмиттера	U КБ. max	Максимально допустимое значение напряжения коллектор – база
U КЭ. нас	Напряжение насыщения коллектор – эмиттер	U БЭ. max	Максимально допустимое обратное напряжение база – эмиттер
U БЭ. нас	Напряжение насыщения база – эмиттер	U КЭ. max	Максимально допустимое значение напряжения коллектор – эмиттер
h 11э	Входное сопротивление би­полярного транзистора при включении по схеме с ОЭ в режиме малого сигнала	h 21Е	Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с ОЭ
| h 21э|	Модуль коэффициента передачи тока транзистора, включенного по схеме с ОЭ, в режиме малого сигнала на высокой частоте	h 22э	Выходная полная про­во­ди­мость биполяр­ного тран­­­зистора в схеме с ОЭ в режиме малого сигнала при холостом ходе
I К. max	Максимально допустимое значение по­стоянного тока коллектора	Θ пер. max	Максимально допустимое значение температуры перехода
Р К. max	Максим. допустимое значение постоянной рассеиваемой мощности коллектора	R пер.-окр	Тепловое сопротивление переход – окружающая среда

Окончание таблицы П.41

Обозначения	Термины	Обозначения	Термины
С к = С КБ	Емкость коллекторного перехода	τк= С к r б’	Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

 

Транзисторы КТ828А, КТ828Б

Кремниевые меза-планарные импульсные высоковольтные транзисторы n-p-n. Предназначены для работы в источниках питания, высоковольтных ключевых и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

Эксплуатируются при Θ _окр от – 40 до + 85 ^оС.

Масса не более 20 г.

Таблица П.42

Электрические параметры и предельные значения