Материалов для изготовления магнитопроводов реле с МК
| Материал | Марка | Коэрцитивная сила, H c, А/м | Максимальная магнитная проницаемость μmax | Магнитная индукция, B, Тл, не менее, при напряженности магнитного поля, А/м, равной | ||||||||||
| Электротехническая тонколистовая сталь (ГОСТ 3863-83) | 4 500 4 000 3 000 | 1,38 | 1,50 | 1,62 | ||||||||||
| Электротехническая сталь (ГОСТ 21427.3-75) | - - | 7 000 7 000 | 1,18 1,20 | 1,29 1,29 | - - | |||||||||
| (ГОСТ 21427.1- 83) | 16 000 33 000 | - - | 1,45 - | 1,70 1,85 | ||||||||||
| Низконикелевый пермаллой (горячекатаные ленты, прутки) | 34НКМП 45Н 50Н 65НП | 6,4 2,8 | 125 000 18 000 20 000 200 000 | - - - - | - - - - | 1,50* 1,50* 1,50* 1,30* | ||||||||
Окончание таблицы П.40
| Материал | Марка | Коэрцитивная сила, H c, А/м | Максимальная магнитная проницаемость μmax | Магнитная индукция, B, Тл, не менее, при напряженности магнитного поля, А/м, равной | ||||
| Высоконикелевый пермаллой (горячекатаные ленты, прутки) | 78Н 79НМ 80НХС | 5,6 3,2 3,2 | 35 000 80 000 70 000 | - - - | - - - | 1,00* 0,75* 0,63* | ||
| Пермендюр | 49К2ФА | 4 000 | - | - | 2,10* | |||
Примечание. * - приведено значение индукции насыщения материала.
Характеристики биполярных транзисторов
Таблица П.41
Система условных обозначений биполярных транзисторов
| Обозначения | Термины | Обозначения | Термины |
| I КБО | Обратный ток коллектора | U КЭО. гр | Граничное напряжение биполярного транзистора |
| I ЭБО | Обратный ток эмиттера | U КБ. max | Максимально допустимое значение напряжения коллектор – база |
| U КЭ. нас | Напряжение насыщения коллектор – эмиттер | U БЭ. max | Максимально допустимое обратное напряжение база – эмиттер |
| U БЭ. нас | Напряжение насыщения база – эмиттер | U КЭ. max | Максимально допустимое значение напряжения коллектор – эмиттер |
| h 11э | Входное сопротивление биполярного транзистора при включении по схеме с ОЭ в режиме малого сигнала | h 21Е | Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с ОЭ |
| | h 21э| | Модуль коэффициента передачи тока транзистора, включенного по схеме с ОЭ, в режиме малого сигнала на высокой частоте | h 22э | Выходная полная проводимость биполярного транзистора в схеме с ОЭ в режиме малого сигнала при холостом ходе |
| I К. max | Максимально допустимое значение постоянного тока коллектора | Θ пер. max | Максимально допустимое значение температуры перехода |
| Р К. max | Максим. допустимое значение постоянной рассеиваемой мощности коллектора | R пер.-окр | Тепловое сопротивление переход – окружающая среда |
Окончание таблицы П.41
| Обозначения | Термины | Обозначения | Термины |
| С к = С КБ | Емкость коллекторного перехода | τк= С к r б’ | Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте |
Транзисторы КТ828А, КТ828Б
Кремниевые меза-планарные импульсные высоковольтные транзисторы n-p-n. Предназначены для работы в источниках питания, высоковольтных ключевых и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Эксплуатируются при Θ окр от – 40 до + 85 оС.
Масса не более 20 г.
Таблица П.42
Электрические параметры и предельные значения
