Искусственные переменные гармонические электромагнитные поля

Создают с помощью разного рода генераторов синусоидального напряжения звуковой и радио волновой частоты, подключаемых к гальваническим заземлителям или индуктивным незаземленным контурам.

С помощью других заземленных приемных линий или незаземленных контуров измеряют электрические Е или магнитные H составляющие напряженности поля. Напряженности искусственных переменных гармонических электромагнитных полей определяются, прежде всего, удельным электрическим сопротивлением среды. С одной стороны, чем выше сопротивление, тем меньше скин-эффект и больше глубина проникновения поля. С другой — чем ниже сопротивление, тем больше интенсивность вторичных вихревых электромагнитных полей, индуцированных в среде.

На низких частотах (f < 10 кГц) расчет сопротивления однородного полупространства ведут по формуле:

где k_ω, — коэффициент установки, разный для различных способов создания и измерения поля, расстояний между источником и приемником, круговых частот (ω=2πf); ΔU(ω) — разность потенциалов, пропорциональная составляющим Е или Н.

Над неоднородной средой по этой же формуле рассчитывают кажущееся сопротивление ρ_ω.

Низкочастотные гармонические поля используют в индукционных зондированиях и профилированиях. На высоких частотах (f > 10 кГц) формулы для параметров нормального поля более громоздки, так как они зависят от трех электромагнитных свойств среды: ρ, ε, μ. Эти поля применяют в различных радиоволновых и радиолокационных методах электроразведки.

Искусственные импульсные (неустановившиеся) электромагнитные поля создают с помощью генераторов, дающих на выходе напряжение в виде прямоугольных импульсов разной длительности или импульсов ступенчатой формы и подключаемых к заземленным линиям или незаземленным контурам. В момент резкого включения или выключения тока в проводящей геологической среде индуцируются вихревые вторичные электромагнитные поля.

Из теории спектров и импульсной техники известно, что при резком изменении поля в среде возникает сигнал, который можно разложить в набор гармонических колебаний широкого спектра частот. Чем острее импульс или крутизна спада сигнала, тем более высокочастотные колебания содержатся в нем, а с увеличением частоты растет скин-эффект и уменьшается глубина проникновения поля. Однако с ростом частоты увеличиваются вторичные вихревые индукционные поля.

В зависимости от формы импульса питающего тока и сопротивления среды сигналы искажаются. Определяя с помощью приемной линии MN или незаземленного контура (петли, рамки) разности потенциалов ΔU_E (t) и ΔU_H (t) на разных временах t после окончания питающего сигнала, изучают так называемые переходные процессы или становление (установление) поля в среде.

Формулы для расчета сопротивления однородного полупространства для дальней (r > 5Н) и ближней (r < H) зон от источника (где H — проектируемые глубины разведки) имеют вид:

где k_д, k_б — коэффициенты установок, зависящие от типа питающей и приемной линий, их размеров и разноса r. Для неоднородной среды сопротивления, рассчитанные по этим формулам, называются кажущимися (ρ_τд, ρ_τб). Неустановившиеся поля используют в зондированиях становлением поля (ЗС) и методе переходных процессов (МПП).