Определение положения контакта двух сред

На рис. 21 приведена кривая, полученная над вертикальным контактом, перекрытым наносами, при помощи симметричной установки AMNB. То, что наблюденная кривая связана с контактом, подтверждается наличием на ней трёх ступеней: первая Ст1 соответствует породам низкого сопротивления (ρ1), вторая Ст2- зоне контакта, третья Ст3- породам высокого сопротивления (ρ2). Положение контакта в данном случае определяется как середина участка с резким изменением ρк (середина участка а - б на рис. 22).

 

1 – поверхностный слой, 2 – слой высокого сопротивления.

Рисунок 21- Вид кривой ρк над контактом двух сред при наблюдении симметричной установкой.

 

Если на графике ρк более четко выражены пики, то плоскость контакта падает в сторону среды с меньшим сопротивлением (рис. 22, а), если на графике более четко выражены впадины, то в сторону среды с большим сопротивлением (рис. 22, а).

Рисунок 22 - Графики ρк над наклонным контактом при падении его в сторону среды с меньшим (а) и большим (б) сопротивлением.

 

При наблюдении над контактом установки КЭП и ДП наблюдается расхождение кривых прямой и обратных установок.

На рис. 22 изображены графики КЭП. Как видно, зона контакта располагается в середине области расхождения кривых (точка К). Направление падения контакта определяется также, как и при наблюдении симметричной установкой.

Более точно местоположение контакта в случае наклонного падения его можно установить по характерным точкам пиков (П) и впадин (В). Если более четко выражены пики, то для определения места контакта надо отложить величину MN/2, от пика обратной установки в сторону пониженного сопротивления, если более четко выражены впадины, то от впадины прямой установки в сторону среды повышенного сопротивления.

1 – график ρк опорной установки (AMNC_к) 2 – график обратной установки (BNMC_к); По – обратной установки; Ва прямой установки

Рисунок 23 - Определение положения контакта по графикам КЭП.

Таблица 3.1

 

Глубина, м	АВ=24	MN=12
Вариант№1	Вариант№2	Вариант №3
ρк, Ом*м	ρк, Ом*м	AMN C∞	ВMN C∞

 

 

Продолжение таблицы 3.1

 

 

 

 

Контрольные вопросы:

1. Изложите сущность метода электропрофилирования. Перечислите его модификации.

2. В каком случае плоскость контакта падает в сторону среды с меньшим сопротивлением? С большим?

3. Изложите сущность метода КЭП.

4. Как определяется направление падения контакта на графиках КЭП?

5. Как можно более точно установить местоположение контакта в случае наклонного падения?

 

Практическая работа №4.