Лекции.Орг


Поиск:




Тәжірибелік жұмыстардың жоспары 2 страница




Жартылайөткізгіштік жайлы жалпы мәліметтер. Электродты электр өткізгіші бар қалыпты температурада меншікті кедергісі өткізгіштің және диэлектриктің меншікті кедергісінің арасында жатқан үлкен топ заттарды жартылай өткізгішке жатқызуға болады. Жартылай өткізгіштердің электрлік өткізгіші сыртқы энергетикалық әсерінен және де әртүрлі қоспалардан кейбір жағдайда жартылай өткізгіші өз құрамында болатын қоспалардың өз мөлшеріне қатты тәуелді, сондай-ақ әртүрлі қоспалардан, кейкезде жеке жартылайөткізгіштің денсеінде болаты өте аз шамалардан да тәуелді болады Жартылай өткізгіштіктің электр өткізгіші температурамен, жарықпен, электр өріспен, механикалық күшпен басқару терморезистордың фоторезистордың сызықты емес резистордың (варистор) жұмысының негізіне салынған. Жартылай өткізгіштігі 2 типті электр өткізгіштігінің болуы электронды «(n) типті және кемтікті (р) типті, p-n өтуімен жартылай өткізгіш заттар алуға болады. Жартылай өткізгіштікте p-n өтуі бар болғанда жоғарғы қабат пайда болады, 2 немесе оданда көп өз-өзімен байланысқан өтулер басқарылатын жүйелер – транзисторлар – алуға болады. Р-n өтулер мүмкіндіктерін пайдалануы негізінде электротехникада жартылай өткізгіштіктердің ең маңызды қолданылуы жүреді. Жартылай өткізгіш жүйелері энергияның әртүрлі түрлерінің түрлерінің электрлік токтың энергиясына түрлене алады, олардың түрлендіру коэфиценті жартылай өткізгіштің басқа түрінен салыстыруға келетіндей мүмкіндік береді. Ол кейде олардан асады (мысалы: жартылай өткізгіш түрлендіргіші «күндік батарея» КПД-сы 11% ретті). Жартылай өткізгіш көмегімен бірнеше ондық градусқа суытудан алуға болады. Практикада қолданылатын жартылай өткізгіш материалдар қарапайым жартылай өткізгіштің химиялық қосылыстар және жартылай өткізгіш комплекстер болуы мүмкін. Әйнек тәрізді және сұйық жартылай өткізгіш түрлеріне бөлінуі мүмкін. Қарапайым жартылайөткізгіштік он шақты түрі бар, олар кестеде көрсетілген. Жартылайөткізгіштер көмегімен оншақты градусқа салқындатуды алуға болады. Тәжірибеде қолданылатын жартылайөткізгішті материалдар қарапайым өткізгіштерге бөлінуі мүмкін (элементтер); жартылайөткізгіштіхимиялық қоспалар және жартылайөткізгішті комплекстер (мысалы, керамикалық жартылайөткізгіштер); шыны тәрізді және сұйық жартылайөткізгіштер. Қарапайым жартылайөткізгіштер шамамен оншақты, олар кестеде келтірілген. Қазіргі техникада маңызды орынды германий, кремний және селен алады.

1 Кесте

Қарапайым жартылайэлектрөткізгіштер

Элемент Менделеев кестесіндегі топ Тиым салынған аумақ ені, эВ Элемент Менделеев кестесіндегі топ Тиым салынған аумақ ені, эВ
Бор В III 1,1 Мышьяк As V 1,2
Кремний Si IV 1,12 Сера S VI 2,5
Германий Ge IV 0,72 Селен Se VI 1,7
Фосфор P V 1,5 Теллур Te VI 0,36
Йод I VII 1,25      

Ескерту. Кейбір модификацияларда жартылайөткізгіш қасиеттері қалайыда (сұр), сурьмада және көміртегіде бар.

Жартылайөткізгішті материалдардан аспабтарды дайындау бір қатар жетістіктерге ие, оларға келесілер жатады:

ұзақ уақыт қызмет ету;

кішкентай габарит және салмақ;

конструкциясы қарапайым және сенімді, жоғары механикалық төзімділік (не боятся тряски и ударов);

электронды шамды ауыстыратын жартылайөткізгіш аспабтарда қызу тізбегі жоқ, тұтыну қуаты мен иннерттілігі аз;

5) массалық өндірісте экономикалық түрде тиімді.

Негізгі әдебиеттер 1. [230-268].

Қосымша әдебиеттер 2. [252-295].

Бақылау сұратары:

1. Өткізгіш материалдар.

2. Жоғары өткізгіштік материалдар. Өте жоғары өткізгіш және криоөткізгіш.

3. Жартылай өткізгіштер жайлы жалпы мәліметтер.

 

№ 7 дәріс конспектісі

Лекция тақырыбы: Жартылайөткізгішті материалдар. Жартылайөткізгіштердің электрөткізгіштігі. Жартылайөткізгіштердің электрөткізгіштігіне сыртқы факторлардың әсерлері. Жартылайөткізгіш қасиеттері бар элементтер.

Жартылайөткізгіштердің электрөткізгіштігі. Өзіндік жартылайөткізгіштер. Жартылайөткізгіштер үшін энергетикалық диаграммада кең емес тиым салынған аумақтың болуы тән. Элементтердің тиым салынған зонасының ені электрон-вольттарда кестеде келтірілген. Едәуір кеңінен өолданылатын жартылайөткізгіштер үшін ол 0,5 – 2,5 эВ құрайды.

5 сурет. Жартылайөткізгіштердің энергетикалық диаграммасына қоспалардың әсері: а - өзіндік жартылайөткізгіш; б – донорлы қоспасы бар жартылайөткізгіш, электронды электрөткізгіш (n-типті); в – акцептрлі қоспасы бар жартылайөткізгіш, тесікті электрөткізгіш (р-типті).

5,а суретте өзіндік жартылайөткізгіш үшін энергетикалық диаграмма келтірілген, яғни электрондар бос энергетикалық деңгейлер аумағына валентті аумақтардан ғана жеткізіле алады. Энергия деңгейлері бойынша электрондарды тарату а суретінде көрсетілген, ол валентті аумақта сәйкес келетін тесіктер санын құрып, өткізгіштік аумағына бірнеше электрондардың өткен кезінде қандай да бір температураға сәйкес келеді. әрбір қоздыру акті кезінде өзіндік өткізгіште бір уақытта қарамақарсы белгісі бар екі заряд тасымалдағыш құрылады, онда заряд тасымалдағыштардың жалпы саны өткізгіштер аумағында электрондар саны екі есе көп, яғни:

(16)

Электрондар және тесіктер концентрациясында i индексі дегеніміз зарядтардың өзіндік тасымалдағыштары екенін көрсетеді. Бізбен қарасытырылып отырған жағдайда меншікті өткізгіштік:

(17)

Дененің кезкелген температурасы кезінде қоздыру және рекомбенация процестерінің болуы нәтижесінде қоздырылған тасымалдағыштардың тепетеңдендірілген концентрациясы тағайындалады:

электрондардың:

(18)

тесіктердің:

(19)

мұндағы ∆ω – жартылайөткізгіштің тиым салынған аумақ ені; Nc – бос аумақтағы (өткізгіштік зонасында) жартылайөткізгіштің көлем бірлігіндегі энергетикалық деңгейлер саны; Nb – дәл сондай, бірақ валентті зонада. Коэффициент 2, әрбір деңгейде екі электронның болуы мүмкін екенін көрсетеді.

Электрондар мен тесіктердің қозғалғыштығы бірдей емес. Электрондар мен тесіктер жартылайөткізгіштердің кристалды тор өрісінде қозғалуы кезінде әртүрлі иннерттілікке ие болады, яғни олар эффекті массалармен ажыратылады mn*и mp*. Көптеген жағдайларда mn*< mp*. Осыдан жартылайөткізгіштердің өзіндік электрөткізгіштігі әлсіз артық электронды сипатқа ие.

Қоспалы жартылайөткізгіштер. Көптеген жартылайөткізгіш аспабтар үшін қоспалы жартылайөткізгіштер қолданылады. Сондықтан практикада, зардтың өзіндік тасымалдағышының елеулі концентрациясы мүмкін болатын едәуір үлкен температура кезінде пайда болатын жартылайөткізгіштер маңызды мәнге ие болады, яғни тиым салынған аумағы жеткілікті кең жартылайөткізгіштер. Температураның жұмыс интервалында зарядтың бос тасымалдағыштарын жеткізгіштер болып қоспалар жатады. Жаттекті жартылайөткізгіштер қоспалар болып жаттекті атомдар саналады. Бұдан басқа, қоспалар ролін кристалды тордың барлық мүмкін болатын дефектілері атқарады: бос түйіндер, торлардың түйін арасында қалған атомдар немесе иондар, торлардың пластикалық деформациясы кезінде пайда болатын дислокациялар немес ығысулар, микросызықтар және тағы басқалар. Егер қоспалы атомдар кристалды тор түйіндерінде болса, онда олар алмастыру қоспалары деп аталады, егер түйін арасында болса, онда – енгізу қоспалары деп аталады.

Донорлар. Сыртқы энергетикалық әсерлердің (жылу, жарық) болмаған кезіндегі, өткізгіштік аумақ жанында тиым салынған аумақта орналасқан толтырылған қоспалы деңгейлер. Бұл кезде қоспалы атомдардығ активация энергиясы негізгі жартылайөткізгіштің тиым салынған еніне қарағанда аз, сондықтан да денені қыздыру кезінде қоспа электрондарын қайта тасымалдау тор электрондарының қозуын озады. Бір бірінен жеке қоспа атомдарында туатын оң зарядтар локализацияланған түрде қалады, яғни кристал бойынша жүре алмайды және электрөткізгіштікке қатыса алмайды. Осындай қоспасы бар жартылайөткізгіш, валентті аумақтан өткізгіш аумаққа электрондардың өтуі арқасында пайда болған тесіктер концентрациясына қарағанда электрон концентациясына көп ие, және оны n-типті жартылайөткізгіш, ал электрондарды өткізгіш аумаққа жеткізетін қоспаларды – донорлар деп атайды.

Акцепторлар. Валентті зона аумағында негізгі жартылайөткізгіштің тиым салынған аумағында орналасқан басқа қоспалар толтырылмаған деңгейлерді енгізуі мүмкін. Жылулық қоздыру бірінші кезекте валентті аумақтан осы қоспалы деңгейлерге электрондарды лақтыратын болады. Атомдардың ортақтылығына байланыстфы қоспалы деңгейлерге лақтырылған қоспа электрондары электр тоғына қатыспайды. Мұндай жартылайөткізгіш, валентті аумақтан өткізгіш аумаққа өткен электрондар концентрациясына қарағанда тесіктер концентрациясына көп ие болады, және оны р-типке жатқызады. Жартылайөткізгіштің валентті аумағынан электронды басып алатын қоспаларды акцепторлар деп атайды.

Негізгі және негізгі емес заряд тасымалдаушылар. Берілген жартылайөткізгіште концентрациясы көп тасымалдаушылар негізгі, ал концентрациясы аз тасымалдаушылар негізгі емес болып аталады. Сондай ақ жартылайөткізгіште n-типті электрондар негізгі тасымалдаушылар, ал тесіктер – негізгі емес болады. Қоспалы электрөткізгіштік, қзіндікке қарағанда өзінің пайда болуына аз энергетикалық әсерді талап етеді (электрон-вольттың жүзден немесе оннан бір бөлігі), сондықтан жартылайөткізгіштің өзіндік электрөткізгіштігіне қарағанда едәуір төмен температура кезінде пайда болады.

Жартылайөткізгіштің электрөткізгіштігіне сыртқы факторлардың әсері. Заряд тасымалдауштар концентрациясының температуралық тәуелділігі. Температураның өсуі кезінде электрондардың тиым салынған аумақ арқылы өтуі салдарынан заряд тасымалдауыштар концентрациясының тез өсуі бақыланады. Атомды торы бар жартылайөткізгіштерде заряд тасымалдауыштардың қозғалғыштығы, ионды кристалдыларға қарағанда көп. Жартылайөткізгіштің меншікті кедергісін, келесідей табамыз:

, (20)

ω – қоспаның әртүрлі концентрациясы кезінде жартылайөткізгіштің қоспалы электрөткізгіштігінің активация энергиясы; ∆W – берілген жартылайөткізгіштің тиым салынған аумағының ені.

Температураны көтерумен байланысты жартылайөткізгіште бос электрондар саны өседі, ал температураны абсалютті нөлге дейін төмендетумен – тіптім нөлге дейін азаяды. Осындай түрде заттың электрөткізгіштігі әртүрлі температура кезінде елеулі түрде әрқалай болуы мүмкін. Термогенерация процесі – бұл валентті аумақтан болс аумаққа өтетін температураның көтерілуіне байланысты электрондар санының өсуі. Электрондардың бос жағдайға өту процесі кері құбылыспен ілеседі, яғни электрондардың валентті аумаққа қайтуы. Бұл процес рекомбенация деп аталады. Нәтижесінде тұрақты температура кезінде затта тепетеңдік пайда болады, яғни бос аумаққа өтетін электрондар саны валентті аумаққа қайтатын электрондар санына тең. Электрондарды бос жағдайға өткізу немесе тесіктерді (валентті аумақтан электрондар кеткеннен кейін босаған вакентті орын) құру үшін қажет энергияны тек жылу қозғалысы ғана емес басқа да энергия көздері де жеткізе алады: жарық, электрондар және ядролық бөліктердің ағыны, электронды және магнитті өрістер, механикалық әсерлер және басқалар. Жартылайөткізгіштердің электрөткізгіштігіне жарықтың әсері. Жартылайөткізгіштермен сіңірілетін жарық энегиясы, онда электрөткізгіштің өсуіне алып келетін зарядтар тасымалдаушылар шамасының көбеюіне алып келеді.

Фотоөткізгіштік – электромагнит сәулесі әсерімен электрөткізгіштіктің әсері. Электронның өткізгіш аумақтан валентті аумаққа бос деңгейге өту процесі тура рекомбинация деп аталады. Бұл кезде энергия айырмашылығы электромагнитті сәуле түрінде немесе кристалды тордың механикалық тербелісі түрінде көрсетіледі. Рекомбенациялық қақпан дегеніміз – бұл процестің бірінші сатысында тиым салынған аумақта тұрған электрон қақпанның бос деңгейімен алынады. Қақпан осындай жағдайда оған тесік жақындағанша болады – тесік жақындағанда рекомбенацияның екінші сатысы орындалады.

Жартылайөткізгіш қасиеттері бар элементтер. Германий. Жер қыртысында германийдің 7*10-4құрамы бар. Германий құралдардың жұмыс істеу диапазоны -60 до +700 С -ге дейін. Жоғары шекке температураны нөтергенде тура екі есе, ал кері тоқ үш есе өседі.

50-60°С-ға дейін суытқанда тікелей тоқ 70-75%-ке төмендейді. Германийден жасалған құралдар ылғалдылықтан қорғалуы керек. Ол түзеткіштер, транзистролар, фото құралдар, оптикалық линзалар мен фильтрлер жасау үшін қолданылады. Германийдің тиым салынған аумақ ені ∆W = 0,72 эВ.

Кремний. Жер қыртысында 26% бар. Диод, транзистор, фотоэлементтер және микроэлектрониканың қатты схемаларын жасауда негізгі элемент болып табылады. Температураның жоғарғы шегі тазалуа деңгейіне байланысты 120-200°С. Кремнийдің тиым салынған аумақ ені ∆W = 1,12 эВ.

Негізгі әдебиет 1. [268-310].

Қосымша әдебиет 2. [295-351].

Бақылау сұрақтары:

1. Жартылай өткізгіштердің электрөткізгіштігі.

2. Жартылай өткізгіштердің электрөткізгіштігіне сыртқы факторлардың әсері.

3. Жартылай өткізгіш қасиеттері бар элементтер.

 

Дәріс конспектісі

Дәріс тақырыбы: Магнитті материалдар. Материалдардың магнитті қасиеттері жайлы жалпы мәліметтер. Магнитті-жұмсақ материалдар. Магнитті-қатты материалдар.

Материалдардың магнитті қасиеттері жайлы жалпы мәліметтер. Өз бетінше поляризацияланатын заттарда жеке обылыстар болады - домендер; олар сыртқы өрістер болмай тұрып электрлі моментке ие болады. Бірақ электр моменттерінің ориентациясы әртүрлі домендерде әртүрлі. Сыртқы өрісті беру өріс бағыты ориентациясына әрекет етеді, ол өте үлкен поляризацияны береді. Магнитті материалдар ретінде техникалық мәнге феромагнитті заттар мен ферромагнитті химиялық қоспалар (ферриттер) ие. Ферромагнетик — кристалды зат, онда әрбір доменда нәтижеленетін магнитті моменттер нөлден бөлек болады. Антиферромагнетик — кристалды зат, онда әрбір доменда нәтижеленетін магнитті моменттер нөлге тең. Ферримагнетик — кристалды зат, оның магнитті структурасын екі немесе одан көп тор астындағылар түрінде көрсетуге болады, сондай-ақ әрбір доменда нәтижеленетін магнитті моменттер нөлден бөлек болады. Материалдардың магнитті қасиеттері өздерімен элементті дөңгелек тоқтарды көрсететін электр зарядтар қозғалысының ішкі жасырын формаларымен шартталған. Осындай дөңгелек тоқ болып электрондардың өз өсімен айналуы болып табылады – электронды спиндар мен атомдарда электрондардың орбиталық айналуы. Ферромагнетизм құбылысы, магнитті домендер деп аталатын электронды спиндар макроскопиялық обылыстар шектігінде бір біріне параллельді ориентацияланатындай және бірдей бағытталатындай кездерінде арнайы температурадан төмен (Кюри нүктесі) кейбір материалдардың ішінде кристалды структураны құрумен байланысты. Осындай түрде, ферромагнитті жағдай үшін тән зат болып онда сыртқы магнитті өрісті бермей-ақ өз бетінше магниттелудңғ болуы саналады. Бірақ-та ферромагнетиктерде өз бетінше магниттелу обылыстары құрылса да, жеке домендердің магнитті моменттерінің бағыты әртүрлі болып алынады. Мұндай дененің магнитті ағыны сыртқы кеңістікте нөлге тең болады.

Ферромагнитті заттардың монокристалдары әртүрлі өстер бойында магниттелудің әртүрлі жеңілдіктерінде өрнектелетін магнитті анизотропиямен сипатталады. Поликристалды магнетиктерде анизотропия жеткілікті көп өрнектелсе, ферромагнетикте магнитті текстура басым деп қабылданады. Берілген магнитті текстураны алу үлкен мәнге ие және техникада материалдың жоғары магнитті сипаттамаларын арнайы бағытта құру үшін қолданылады.

Сыртқы магнит өрісі әсерімен ферромагнетикті магниттеу процесі: 1) өріс бағытымен ең аз бұрышты құрайтын магнитті моменті бар домендердің өсуі, және басқа домендердің өлшемдерінің азаюы және (домен шекараларының ығысу процесі); 2) өрістің сыртқы моменті бағытында магнит моменттерінің бұрылуы (ориентация процесі).

Доменнің өсуі тоқтатылған кезде, магнитті қанығу басталады, ал магнитті домендер өріс бағытына ориентацияланған болып табылады. Қатынасты магнитті өтімділік негізгі магниттелу қисығы бойынша магниттелу қисығының берілген нүктесінде μо =4π*10-7 Гн/м магнит тұрақтылығын ескере отырып В индукциясының магнит өрісінің кернеулілігіне қатынасы ретінде анықталады:

(21)

H ≈ 0 кезінде μ магнитті өтімділікті, 0,1 А/м жуық өте әлсіз өрістер кезінде анықтай отырып бастапқы өтімділік деп атайды. Магнитті өтімділіктің ең үлкен мәні максимум өтімділік деп аталады және μмакс деп белгіленеді.Күшті өріс кезінде қанығу обылысында магнитті өтімділік μr нөлге ұмтылады. Ферромагнитті материалдардың магнитті өтімділігі Кюри (нүктесіне) температурасына жуық температура кезінде максимум арқылы өте отырып температурадан тәуелді болады. Таза темір үшін Кюри нууктесі 768° С құрайды, никель үшін 358° С, кобальт үшін 1131° С. Кюри нүктесінен жоғары температура кезінде кенеттен магниттелу обылысы жылу қозғалысымен бұзылады және материал магнитті болмай қалады. Егер сыртқы магнит өрісінде ферромагнетикті ақырын магниттейтін болсақ, содан соң негізгі магниттелу қисығының қандай да бір нүктесінен кернеулілікті азайтуды бастасақ, онда индукция да кеми бастайды, бірақ негізгі қисық бойынша емес, гистерезис құбылысы салдарынан негізгі қисықтан қалып кемиді. Қаныққанға дейін магниттелген үлгінің магниттелусіз процесінде Н=0 кезінде В мәні қалдық индукция деп аталады Вr. Индукцияны Вr мәнінен нөлге дейін азайту үшін ұстайтын (коэрцитивті) күш деп аталатын өрістің кері бағытталған Нс кернеулілігін беру қажет. Нс мәні аз және магнитті өтімділігі үлкен материалдарды магнитті-жұмсақ материалдар деп атайды. Коэрцитивті күші үлкен және салыстырмалы аз магнитті өтімділігі бар материалдар магнитті-қатты материалдар деп аталады.

Кейбір кристалды заттар үшін жүйенің потенциалды энергия минимумына бір бағытың екіншісіне қандай да бір үстемділігімен спиндардың антипараллельді орналасуы жауап береді. Бұл заттарды ферромагнетиктер деп атайды. Оларда доменді структура; Кюри нүктесі бар; оларға ферромагнетик заттар үшін енгізілген барлық сипаттамалар қолданылады. Ферримагнетиктер болып практикада фериттер деп аталатын күрделі оксидті материалдар саналады. Ферримагнетиктер ферромагнетиктерден аз қанығу индукциясымен айырылады, едәуір күрделі температуралық тәуелділігі бар және жоғарыланған, ал кейбір материалдар үшін меншікті кедергінің мәні өте жоғары.

 

 

Рисунок 6 - Доменные структуры в тонких образцах магнетиков.

 

Алғашқы екі айырмашылық структурада қарама қарсы компенсацияланбаған магнитті ағындарды құрайтын екі тор астындағы күрделі материалдың болуымен түсіндірілуі мүмкін, ал үшінші айырмашылық — ол материалдар металға жатпайтындығымен түсіндіріледі.

Қандай да бір фррит үшін әртүрлі температура кезінде B макс1 және B макс2 қисықтарының ординаталары арасында қатынастар үшін, Кюри нүктесінен төмен қандай да бір температураға компенсациия алынады, және үлгінің нәтижелік қанығу B макс индукциясы нөлге тең болады. Бұл нүктені компенсация нүктесі деп атайды tкомп. Компенсацция нүктесінен өткенде индукция ферримагнетик үлгісінде белгісін өзгертіп және содан соң Кюри нүктесінде сыртқы өрістің кернеулілігіне (ол аз және сызба масштабында нөлге жуық) тең болады. Әртүрлі ферримагнетиктерде компенсация нүктесі болуы да болмауы да мүмкін.

Жіңішке магнитті пленкалар және цилиндрлі домендер. Жіңішке магнитті пленкалардың ерекшелігі болып, аз қабат (сызықты өлшемдерден көп аз 6 а, б сурет) кезінде жеңіл магниттелу бағыты пленка жазықтығында орналасқан болады. 6 а, суретте көрсетілген жазық домендер құралады. Өте жіңішке пленкалар үшін бірдоменді структура тән, қалыңдығы 10-3—10-2 мм жоғары пленкалар үшін (әртүрлі заттарда) — қарама қарсы бағыттарда магниттелген, ұзын жұқа домендерден (енә бөлшек микрометрден бірнеше микрометрге дейін) тұратын көпдоменді. Сыртқы өрістер әсерімен барлық сызықтар жүйесі жылжуы және айналу мүмкін, және оны жарық және электромагнитті спектор өрісінің жақын диапазоны үшін басқарылатын дифракциялық тор ретінде қолданылады.

Жеңіл магниттелу өсіне перпендикулярлы қалыңдығы 50 мкм жуық бағытталып кесілген кейбір ферриттердің пластинкаларында 6, б суреттегі (ашық және қара жерлері) жазықтыққа қалыпты магниттелудің қарама қарсы бағыты бар домендердің лабиринтті структурасы (Н ≈ 0 кезінде) бақыланады. Егер пластинаны, сол пластинаның бетіне перпеникуляр болатын бағыты бойынша өзгермейтін сыртқы магнит өрісіне орналастырсақ, және өріс кернеулілігін көбейтсек, онда лабиринтті структура үзіледі де цилиндрлі домендер құрылады (6, в сурет), олардың диаметрлері өрістің ары қарай күшеюуі кезінде бардық пластина бойынша біртекті бірдоменді магниттелуге жеткеше кеми беереді. Магнитті өрістің арнайы мәндері кезінде болатын, өріспен басқарылатын цилиндрлі домендерге (екі координаталар бойынша ығысуы мүмкін), есептеу техника құрылғыларын құру кезінде үлкен көңіл бөлінеді. Оларды есте сақату және логикалық элементтер құрылғыларын құру кезінде қолдануға болады. Екілік жүйеде «1» құрылғының арнайы бір нүктесінде доменнің болуына сәйкес келеді, ал «0» — болмауына сәйкес келеді. Цилиндрлі домендері бар магнитті элементтер тасымалдау материалының біртектілігін бұзбай көпфункционалды операцияларды орындауды мүмкін етеді.





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2017-04-04; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 424 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Студент всегда отчаянный романтик! Хоть может сдать на двойку романтизм. © Эдуард А. Асадов
==> читать все изречения...

1002 - | 829 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.011 с.