II.Устройство и принцип работы

Содержание

I.Введение

II.Устройство и принцип работы

 

III.Области применения

 

IV.Заключение

V.Список литературы

 

 

 

 

I.Введение

На сегодняшний день Дифракция отражённых электронов (ДОЭ) является устоявшейся и востребованной методикой микроструктурного анализа, распространенной в мире уже более 15 лет. ДОЭ может использоваться в просвечивающем и растровом электронных микроскопах, однако из-за сложности реализации в ПЭМ в основном применяется именно в растровом.

Дифракция обратно-отраженных электронов возможна на растровом электронном микроскопе при установке на него ДОЭ-приставки, которая состоит из люминесцентного экрана, вводящегося в камеру с образцом РЭМ и ПЗС-матрицы для получения дифракционной картины.

 

II.Устройство и принцип работы

В отличие от других типов микроскопов в РЭМ осуществляется сканирование поверхности образца тонким электронным лучом, и анализируются, возникающие при этом различные излучения. Метод ДОЭ основан на индексировании линий Кикучи образующихся при электронной дифракции от монокристалла.

Рис. 1. Функциональная схема растрового электронного микроскопа(http://ipmckp.ru)

РЭМ состоит из электронно-оптической колонны (1), рабочей камеры (2), персонального компьютера (ПК).

· Электронная пушка состоит из катода (3) и анода (4).При нагреве катода током электроны ускоряются напряжением, приложенным между катодом и анодом. Пучок электронов от пушки проходит через систему линз(7).Фокусировка потока электронов осуществляется магнитным полем. Оно создается электромагнитной линзой(10).Образец крепится на координатный стол под углом около 70 градусов(11) с электромеханическим приводом (12). Электронный пучок, сфокусированный на поверхности образца, вызывает появление двух конусообразных пучков дифрагированных электронов для каждого семейства кристаллических плоскостей. Для того эти конуса сделать видимыми на их пути помещают фосфоресцирующий экран и высокочувствительную камеру. Там, где конусообразные пучки электронов пересекаются с фосфоресцентным экраном, они проявляются в виде тонких полос, называемых полосами Кикучи. Каждая из этих полос соответствует определенной группе кристаллических плоскостей. Результирующие картины ДОЭ состоят из множества полос Кикучи. С помощью специальных компьютерных программ автоматически определяется положение каждой из полос Кикучи, производится сравнение с теоретическими данными о соответствующей кристаллической фазе и быстро вычисляется трехмерная кристаллографическая ориентация.

· блок питания электронной пушки (5);

· блок регулирования интенсивности электронного пучка (6)

· электронно-оптическая система (7) и блок ее питания (8);

· блок сканирования (9)

· система фокусировки (10).

· место крепления и исследуемый образец (13);

· блок усиления и преобразования сигналов (15).

ДОЭ-приставка Схема формирования полос Кикучи

(http://www.microscop.ru/) (http://www.oxinst.ru/html/EBSDbasics.htm)