Рентгенограмма обычного транзистора, не прошедшего испытаний

И транзистора высокой надежности

Рис. 2

Цена нового транзистора, конечно, несколько выше, чем старого, но отношение его цены к продолжительности его жизни показывает его явные несоизмеримые ценовые преимущества перед обычным.

Результаты отбора и проведенных тестов доказывают, что продолжительность безотказной работы транзистора увеличена до такого уровня, когда система может работать безотказно на протяжении 30 лет и более. Такую надежность компонента можно обеспечить только при соответствующем отборе исходных материалов и последующей отбраковке. Здесь компания Semelab является законодателем процедур тестирования компонентов.

 

Характеристика надежности и справочные данные отдельных типов

полупроводниковых приборов

Т а б л и ц а 1 - Электрические параметры транзисторов при приемке и поставке

Наименование параметра, (режим измерения), единица измерения	Буквен- ное обозна- чение	Норма
2П305А/ИУ	2П305Б/ИУ	2П305В/ИУ	2П305Г/ИУ	Темпера-тура, °С
Напряжение затвор-исток, (Uси=10 В, Ic=5 мА), В	Uзи	от 0,2 до 1,5	от 0,2 до 2,0	от минус 0,5 до 0,5	от минус 1,5 до минус 0,25
Крутизна характеристики, (Uси=10 В, Ic=5 мА, f=1000 Гц), мА/В	S	от 6 до 10 ∆ S= -35 % ∆ S= +50 %	от 6 до 10 ∆ S= -35 % ∆ S= +50 %	от 6 до 10 ∆ S= -35 % ∆ S= +50 %	от 6 до 10 ∆ S= -35 % ∆ S= +50 %	минус 60
Напряжение отсечки, (Uси=7 В, Iс=1·10-2 мА), В	Uзи.отс	≥ -6	≥ -6	≥ -6	≥ -6
Ток утечки затвора, (Uзи= -30 В, Uси=0), нА	Iз.ут	≤1	≤0,001	≤1	≤1
Коэффициент шума (Uси=15 В, Iс=5 мА, f=250 МГц), дБ	Кш	≤6,5	─	≤6,5	─
Входная емкость, (Uси=10 В, Iс=5 мА, f=10 МГц), пФ	С11и	≤5,5	≤5,5	≤5,5	≤5,5
Проходная емкость, (Uси=10 В, Iс=5 мА, f=10 МГц), пФ	С11и	≤0,8	≤0,8	≤0,8	≤0,8

Т а б л и ц а 2 - Предельно допустимые значения параметров электрических режимов эксплуатации транзисторов

 

 

Наименование параметра, (условия измерения), единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Номер пункта примечания
Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, В	Uзи макс	±30
Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, подложка, В	Uси макс
Максимально допустимый постоянный ток стока, мА	Iс макс
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт от минус 60 °С до 40 °С при 125 °С	Рс макс
Максимально-допустимая температура перехода, °С	Тпер макс
П р и м е ч а н и я 1 Значение Uзи макс указано для диапазона температур от минус 60 °С до 40 °С. В интервале температур окружающей среды от 40 °С до 125 °С значение допустимого отрицательного напряжения на затворе Uзи макс снижается линейно на 1,3 В на 1 °С. 2 Для всего диапазона температур. 3 В интервале температур окружающей среды от 40 °С до 125 °С допустимая постоянная рассеиваемая мощность Р с.макс снижается линейно.

Гамма-процентная наработка до отказа (Тγ) изделий при γ=99% в предельно допустимом режиме (при максимально допустимой температуре p-n перехода, равной 150 °С) не менее 50 000ч в пределах срока службы (Тсл) 25 лет.

Наработка транзисторов (t_l) в облегченных режимах (при U_си ≤10 В,

I_c ≤ 6 мА, Т_ОКР.СР =65 ºС) не менее 100 000 ч. в пределах срока службы (Т_сл) 25 лет.

Интенсивность отказов транзисторов при эксплуатации (l_э) 2´10 ^{– 9} 1/ч.

Список литературы:

1. http://do.gendocs.ru/docs/index-307421.html?page=7\

2. http://www.ngpedia.ru/id170225p1.html

3. http://kit-e.ru/articles/device/2005_08_204.php

4. «Расчет показателей надежности радиоэлектронных средств», С.М. Боровиков.

5. Справочник «Надежность электрорадиоизделий»