Фототранзисторами называются полупроводниковые приборы с трёхслойной структурой типа n-p-n или p-n-p с двумя запирающими p-n переходами при отключенной базе, освещаемой через окно в корпусе.
На рис.7.38 изображена схема фототранзистора р-n-р структуры, поясняющая его устройство и принцип действия.
Рис.7.38. Схема фототранзистора р-n-р структуры, поясняющая его устройство и принцип действия
Фототранзистор имеет два рабочих электрода эмиттер Э и коллектор К, через окно база Б управляется световым потоком Ф. В исходном положении (без освещения) для цепи, в которой фототранзистор ФТ питается через нагрузочное сопротивление 
от источника 
запирающий переход П1 открыт, а переход П2 закрыт. При освещении, под действием фотонов света, в базовой области образуются пары электрон-дырка носителей зарядов. Дырки, под действием внешнего источника , проходят через закрытый коллекторный n-p -переход П2, вызывая образование и увеличение фототока 
, пропорционально увеличению освещения базы. На рис.7.39 изображены вольтамперные характеристики фототранзистора 
при Ф = Const.
Рис.7.39. Вольтамперные характеристики фототранзистора р-n-р структуры при постоянных значениях световых потоков
Фототранзисторы отличаются от фотодиодов большой чувствительностью.
Фототиристораминазываютсяполупроводниковые приборы p 1 -n 1 -p 2 -n 2 структуры с тремя запирающими переходами П1, П2, П3, двумя рабочими электродами анод А, катод К и, отключенным управляющим электродом УЭ. Управление фототиристором производится световым потоком Ф через окно области p 2, расположенное в районе управляющего электрода.
На рис.7.40 изображены структура тиристора и схема подключения его к источнику питания через нагрузку.
Рис.7.40. Структура тиристора и схема подключения его к источнику питания через нагрузку
Без светового потока Ф переход П2 закрыт. При освещении через окно в области p 2 происходит фотогенерация носителей зарядов электрон-дырка. Из области n 1 дырки переходят в область p 2 и далее через открытый переход П3 в область n 2. При питании через нагрузку проходит фототок , который пропорционален падающему на фототиристор световому потоку Ф. Без освещения
фототиристор может быть использован как обычный тиристор.
По сравнению с фототранзисторами фототиристоры обладают высокой нагрузочной способностью при малой мощности светового сигнала, а также памятью и высоким быстродействием.
На рис.7.41 изображены вольтамперные характеристики фототиристора 
при Ф = Const, которые показывают, что при увеличении светового потока Ф уменьшается напряжение переключения 
.
Рис.7.41. Вольтамперные характеристики фототиристора при постоянных значениях световых потоков
Оптронами называются полупроводниковые приборы, содержащие источник излучения и приемник излучения, управляемый этим излучением.
На рис.7.42 изображён оптрон, в котором в качестве источника излучения используется светодиод, а в качестве приёмника фототранзистор, объединённые в одной конструкции. Приёмником может быть фоторезистор, фотодиод, фототиристор. Оптрон может работать в качестве усилительного или переключающегося элемента. Преимущество оптрона – гальваническая развязка входной и выходной цепей.
На рис.7.43 изображены вольтамперные характеристики оптрона 
при Ф = Const.
Рис.7.42. Схема подключения оптрона к источникам питания
Рис.7.43. Вольтамперные характеристики оптрона при постоянных значениях световых потоков светодиода
